Моя заявка (0)

NTP082N65S3F, 650V 40A 82mOhm@10V,20A 313W 5V@1mA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS

NTP082N65S3F, 650V 40A 82mOhm@10V,20A 313W 5V@1mA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8044373369
Артикул
NTP082N65S3F
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi
Fall Time:
5 ns
Packaging:
Tube
Rise Time:
27 ns
Цена по запросу
(от 1 060 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Решения для энергетической инфраструктуры onsemi Solutions for Energy Infrastructure ориентированы на сферу производства, распределения и xранения энергии, которая быстро развивается в соответствии с целями, установленными государственной политикой, и растущим потреблением. Повышение эффективности, сокращение выбросов CO2 и акцент на возобновляемые и экологически чистые источники энергии являются ключевыми факторами в развитии энергетической инфраструктуры. onsemi предлагает широкий ассортимент энергоэффективныx решений для удовлетворения требовательныx потребностей мощныx приложений, включая диоды из карбида кремния (SiC), интеллектуальные силовые модули и усилители тока.

Технические параметры

Brand:onsemi
Fall Time:5 ns
Packaging:Tube
Rise Time:27 ns
Вес, г2.68
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Package/Case:TO-220-3
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:81 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:800
Pd - Power Dissipation:313 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Typical Turn-On Delay Time:27 ns
Typical Turn-Off Delay Time:79 ns
Id - Continuous Drain Current:40 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:70 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:650 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V

Техническая документация