Моя заявка (0)

NTP067N Type N-Channel MOSFET, 40 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 NTP067N65S3H

NTP067N Type N-Channel MOSFET, 40 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 NTP067N65S3H

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014563332
Артикул
NTP067N65S3H
Бренд
ON Semiconductor***
Series
NTP067N
Pin Count
3
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 1 180 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП−транзистор ON Semiconductor SUPERFET III относится к семейству МОП−транзисторов с высоковольтным суперпереxодом (SJ), в которыx используется теxнология балансировки заряда, обеспечивающая выдающееся низкое сопротивление на вxоде и более низкую производительность заряда затвора.

Технические параметры

SeriesNTP067N
Pin Count3
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220
КорпусTO-220
Mounting TypeThrough Hole
Power Dissipation266Вт
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
ОсобенностиEnhancement Mode
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage650 V
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Maximum Drain Source Resistance0.067 Ω
Drain Source On State Resistance0.055Ом
Maximum Continuous Drain Current40 A
Линейка ПродукцииSUPERFET III FAST
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока40А
Рассеиваемая Мощность266Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds650В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.055Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А40
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация