NTP055N65S3H, 650V 47A 45mOhm@10V,23.5A 305W 4V@4.8mA N Channel 4.305nF@400V 96nC@10V -55°C~+150°C@(Tj) TO-220 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017646573
- Артикул
- NTP055N65S3H
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- 1PCSNChannel
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 2.8 ns
- Packaging:
- Tube
Цена по запросу
(от 383,32 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
650 В, 47 А, 45 Мом при 10 В, 23,5 А, 305 Вт 4V@4.8mA 1 шт. одноканальныx МОП-транзисторов TO-220 ROHS
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 2.8 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 16 ns |
| Вес, г | 2.68 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | TO-220 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 96 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Factory Pack Quantity: | 800 |
| Power Dissipation (Pd) | 305W |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 305 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 96nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 4.305nF@400V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 90 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 47A |
| Id - Continuous Drain Current: | 47 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 52 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 55 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@4.8mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 47 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 305 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 45mΩ@10V, 23.5A |