Моя заявка (0)

NTN P-Channel MOSFET Transistor, 127 mA, 20 V Depletion, 3-Pin xDFN3 NTNS2K1P021ZTCG

NTN P-Channel MOSFET Transistor, 127 mA, 20 V Depletion, 3-Pin xDFN3 NTNS2K1P021ZTCG

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014533533
Артикул
NTNS2K1P021ZTCG
Бренд
ON Semiconductor***
Series
NTN
Pin Count
3
Вес, г
1
Channel Mode
Depletion
Цена по запросу
(от 57 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Одноканальный МОП-транзистор ON Semiconductor Power single N-Channel работает при напряжении -127 миллиампер и напряжении -20 Вольт. Его можно использовать для коммутации малой нагрузки, высокоскоростного сопряжения и изменения уровня.

Технические параметры

SeriesNTN
Pin Count3
Вес, г1
Channel ModeDepletion
Channel TypeP
Package TypexDFN3
Power Dissipation125мВт
СтруктураP-Channel
Особенностиdepletion-mode fet
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage20 V
Maximum Gate Threshold Voltage1V
Maximum Drain Source Resistance10 Ω
Drain Source On State Resistance2.1Ом
Maximum Continuous Drain Current127 mA
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока127мА
Рассеиваемая Мощность125мВт
Полярность ТранзистораP Канал
Пороговое Напряжение Vgs1В
Напряжение Измерения Rds(on)4.5В
Напряжение Истока-стока Vds20В
Стиль Корпуса ТранзистораXDFN
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)2.1Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.127
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±10В

Техническая документация