NTND31225CZTAG, MOSFETs T1 XLLGA6 DUAL
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005375522
- Артикул
- NTND31225CZTAG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 80 ns, 171 ns
- Rise Time:
- 25.5 ns, 71 ns
- Вес, г
- 74
Цена по запросу
(от 61 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 80 ns, 171 ns |
| Rise Time: | 25.5 ns, 71 ns |
| Вес, г | 74 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | XLLGA-6 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 8000 |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 125 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 16.5 ns, 37 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 142 ns, 280 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 220 mA, 127 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 0.48 S, 0.35 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 800 mOhms, 2.1 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |