Моя заявка (0)

NTMYS7D3N04CLTWG,Power MOSFET, N Channel, 40 V, 52 A, 0.0061 ohm, LFPAK, Surface Mount

NTMYS7D3N04CLTWG,Power MOSFET, N Channel, 40 V, 52 A, 0.0061 ohm, LFPAK, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070873358
Артикул
NTMYS7D3N04CLTWG
Бренд
ON Semiconductor***
MSL
MSL 1-Unlimited
Brand:
onsemi
Fall Time:
6 ns
Rise Time:
24 ns
Цена по запросу
(от 247 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Промышленный силовой МОП-транзистор в корпусе LFPAK размером 5x6 мм, разработанный для компактной и эффективной конструкции и обладающий высокими тепловыми xарактеристиками.

Технические параметры

MSLMSL 1-Unlimited
Brand:onsemi
Fall Time:6 ns
Rise Time:24 ns
Вес, г0.7
No. of Pins4Pins
Technology:Si
Channel TypeN Channel
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:LFPAK-4
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:7 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor MountingSurface Mount
Transistor Polarity:N-Channel
Transistor Case StyleLFPAK
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:38 W
Drain Source Voltage Vds40V
Operating Temperature Max175°C
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Continuous Drain Current Id52A
Typical Turn-On Delay Time:8 ns
Typical Turn-Off Delay Time:29 ns
Id - Continuous Drain Current:52 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:33 S
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Rds On - Drain-Source Resistance:7.3 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт38W
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)7300µohm

Техническая документация