NTMYS7D3N04CLTWG, MOSFETs 40V 7.3 mOhm 52A Single N-Channel
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005375521
- Артикул
- NTMYS7D3N04CLTWG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- MSL
- MSL 1-Unlimited
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 6 ns
- Rise Time:
- 24 ns
Цена по запросу
(от 167,76 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Промышленные N-канальные силовые МОП-транзисторы LFPAK4 onsemi Промышленные N-канальные силовые МОП-транзисторы LFPAK4 - это одиночные МОП-транзисторы небольшого размера (5 x 6 мм), которые идеально подxодят для компактныx конструкций. Эти устройства отличаются низким сопротивлением подключения стока к источнику питания для минимизации потерь проводимости и низким зарядом затвора и емкостью для минимизации потерь в приводе. Эти силовые МОП-транзисторы промышленного класса не содержат свинца, соответствуют требованиям RoHS и имеют широкий диапазон рабочиx температур от -55°C до +175°C.
Технические параметры
| MSL | MSL 1-Unlimited |
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 6 ns |
| Rise Time: | 24 ns |
| Вес, г | 17 |
| No. of Pins | 4Pins |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | LFPAK-4 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 7 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Case Style | LFPAK |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 38 W |
| Drain Source Voltage Vds | 40V |
| Operating Temperature Max | 175°C |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Continuous Drain Current Id | 52A |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 29 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 52 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 33 S |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 2V |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 7.3 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 52 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 7.3 mOhms |