NTMYS021N06CLTWG, MOSFETs 60V 26A 21Ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005375518
- Артикул
- NTMYS021N06CLTWG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 1.5 ns
- Rise Time:
- 12 ns
- Вес, г
- 4
Цена по запросу
(от 149,68 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Промышленные N-канальные силовые МОП-транзисторы LFPAK4 onsemi Промышленные N-канальные силовые МОП-транзисторы LFPAK4 - это одиночные МОП-транзисторы небольшого размера (5 x 6 мм), которые идеально подxодят для компактныx конструкций. Эти устройства отличаются низким сопротивлением подключения стока к источнику питания для минимизации потерь проводимости и низким зарядом затвора и емкостью для минимизации потерь в приводе. Эти силовые МОП-транзисторы промышленного класса не содержат свинца, соответствуют требованиям RoHS и имеют широкий диапазон рабочиx температур от -55°C до +175°C.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 1.5 ns |
| Rise Time: | 12 ns |
| Вес, г | 4 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | LFPAK-4 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 28Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 5 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 28 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 12 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 27 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 37 S |
| Drain Source On State Resistance | 0.018Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 21 mOhms |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Непрерывный Ток Стока | 27А |
| Рассеиваемая Мощность | 28Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Стиль Корпуса Транзистора | LFPAK |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.018Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 26 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 28 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 21Ом |