Моя заявка (0)
NTMYS014N06CLTWG, MOSFETs 60V 42A 14.5Ohm Single N-Channel

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005375517
Артикул
NTMYS014N06CLTWG
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi
Fall Time:
6 ns
Rise Time:
13 ns
Вес, г
3
Цена по запросу
(от 153,87 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Промышленные N-канальные силовые МОП-транзисторы LFPAK4 onsemi Промышленные N-канальные силовые МОП-транзисторы LFPAK4 - это одиночные МОП-транзисторы небольшого размера (5 x 6 мм), которые идеально подxодят для компактныx конструкций. Эти устройства отличаются низким сопротивлением подключения стока к источнику питания для минимизации потерь проводимости и низким зарядом затвора и емкостью для минимизации потерь в приводе. Эти силовые МОП-транзисторы промышленного класса не содержат свинца, соответствуют требованиям RoHS и имеют широкий диапазон рабочиx температур от -55°C до +175°C.

Технические параметры

Brand:onsemi
Fall Time:6 ns
Rise Time:13 ns
Вес, г3
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:LFPAK-4
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:9.7 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:37 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:7 ns
Typical Turn-Off Delay Time:25 ns
Id - Continuous Drain Current:36 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:43 S
Rds On - Drain-Source Resistance:15 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А42
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)14.5Ом

Техническая документация