NTMYS014N06CLTWG,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 36 A, 0.0125 ohm, LFPAK, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004319550
- Артикул
- NTMYS014N06CLTWG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 6 ns
- Rise Time:
- 13 ns
- Вес, г
- 0.7
Цена по запросу
(от 244 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Промышленный силовой МОП-транзистор в корпусе LFPAK размером 5x6 мм, разработанный для компактной и эффективной конструкции и обладающий высокими тепловыми xарактеристиками.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 6 ns |
| Rise Time: | 13 ns |
| Вес, г | 0.7 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | LFPAK-4 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 9.7 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 37 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 25 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 36 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 43 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 15 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 36 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0125 Ом |