NTMYS011N04CTWG, Power MOSFET, N Channel, 40 V, 35 A, 0.01 ohm, LFPAK, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004560529
- Артикул
- NTMYS011N04CTWG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 4.25mm
- Pin Count
- 4
- Вес, г
- 0.7
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 230 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 40V 12 mOhm 35A Single N-Channel
Технические параметры
| Width | 4.25mm |
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 0.7 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | LFPAK, SOT-669 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 5 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 28 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 7.9 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | LFPAK-4 |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Qg - заряд затвора | 7.9 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 12 mΩ |
| Время нарастания | 16 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 35 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 28 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 35 A |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 12 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 16 ns |
| Типичное время задержки при включении | 8 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 35 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 111 S |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.01 Ом |