Моя заявка (0)

NTMYS003N08LHTWG, MOSFETs Power MOSFET 80 V, 132 A, 3.3mohm Single N-Channel

NTMYS003N08LHTWG, MOSFETs Power MOSFET 80 V, 132 A, 3.3mohm Single N-Channel

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8064010224
Артикул
NTMYS003N08LHTWG
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi
Fall Time:
21 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
122 ns
Цена по запросу
(от 475,88 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Одноканальные силовые МОП-транзисторы onsemi Одноканальные силовые МОП-транзисторы onsemi разработаны в компактныx и эффективныx конструкцияx с небольшими габаритами. Эти силовые МОП-транзисторы имеют низкие значения RDS (ON), QG и емкости, что сводит к минимуму проводимость и потери в приводе. Эти МОП-транзисторы доступны с напряжением стока к источнику 40 В, 60 В и 80 В и напряжением затвора к источнику ±20 В. Одноканальные силовые МОП-транзисторы onsemi не содержат Pb и соответствуют требованиям RoHS.

Технические параметры

Brand:onsemi
Fall Time:21 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:122 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Package/Case:LFPAK-4
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:64 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:137 W
Typical Turn-On Delay Time:20 ns
Typical Turn-Off Delay Time:42 ns
Id - Continuous Drain Current:132 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:240 S
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V