NTMYS003N08LHTWG,Power MOSFET, N Channel, 80 V, 132 A, 0.0033 ohm, LFPAK, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046405950
- Артикул
- NTMYS003N08LHTWG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 21 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 122 ns
Цена по запросу
(от 525 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Одноканальные силовые МОП-транзисторы onsemi Одноканальные силовые МОП-транзисторы onsemi разработаны в компактныx и эффективныx конструкцияx с небольшими габаритами. Эти силовые МОП-транзисторы имеют низкие значения RDS (ON), QG и емкости, что сводит к минимуму проводимость и потери в приводе. Эти МОП-транзисторы доступны с напряжением стока к источнику 40 В, 60 В и 80 В и напряжением затвора к источнику ±20 В. Одноканальные силовые МОП-транзисторы onsemi не содержат Pb и соответствуют требованиям RoHS.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 21 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 122 ns |
| Вес, г | 0.013 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | LFPAK-4 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 64 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 137 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 42 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 132 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 240 S |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 132 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4.3 mOhms |