Моя заявка (0)
NTMTS0D7N04CTXG, MOSFETs AFSM T6 40V SG NCH

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8007103100
Артикул
NTMTS0D7N04CTXG
Бренд
ON Semiconductor***
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 346,96 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 40 В, 65 А (Ta), 420 А (Tc), 4,9 Вт (Ta), 205 Вт (Tc) для поверxностного монтажа 8-DFNW (8.3x8.4)

Технические параметры

FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
СтруктураN-Channel
Operating Temperature-55°C ~ 175°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs0.67mOhm @ 50A, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)4.9W(Ta), 205W(Tc)
Supplier Device Package8-DFNW(8.3x8.4)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9230 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C65A(Ta), 420A(Tc)
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация