Моя заявка (0)

NTMTS0D4N04CLTXG, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 553.8A; Idm: 900A; 122W

NTMTS0D4N04CLTXG, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 553.8A; Idm: 900A; 122W

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062456682
Артикул
NTMTS0D4N04CLTXG
Бренд
ON Semiconductor***
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, г
0.01
Цена по запросу
(от 410 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 40 В 79,8А (Ta), 553,8А (Tc) 5 Вт (Ta), 244 Вт (Tc) для поверxностного монтажа 8-DFNW (8.3x8.4)

Технические параметры

FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.01
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Operating Temperature-55°C ~ 175°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs0.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max)5W(Ta), 244W(Tc)
Supplier Device Package8-DFNW(8.3x8.4)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs341 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds20600 pF @ 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C79.8A(Ta), 553.8A(Tc)

Техническая документация