NTMTS001N06CL Type N-Channel MOSFET, 398.2 A, 60 V Enhancement, 8-Pin DFN NTMTS001N06CLTXG
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015389835
- Артикул
- NTMTS001N06CLTXG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 8mm
- FET Type
- N-Channel
- Pin Count
- 8
- Vgs (Max)
- ±20V
Цена по запросу
(от 820 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Небольшие габариты (8x8 мм) для компактной конструкции Низкий уровень RDS (вкл.) для минимизации потерь проводимости Низкое QG и емкость для минимизации потерь в приводе
Технические параметры
| Width | 8mm |
| FET Type | N-Channel |
| Pin Count | 8 |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DFNW8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Структура | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.81mOhm @ 50A, 10V |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Power Dissipation (Max) | 5W |
| Supplier Device Package | 8-DFNW(8.3x8.4) |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 5 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 165 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 165 nC @ 10 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.05 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 398.2 A |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 12300 pF @ 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 398.2A(Tc) |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 398.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |