NTMT110N N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V, 4-Pin PQFN4 8 x 8 NTMT110N65S3HF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024363632
- Артикул
- NTMT110N65S3HF
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Series
- NTMT110N
- Pin Count
- 4
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 1 120 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП−транзистор ON Semiconductor SUPERFET III относится к семейству МОП−транзисторов с высоковольтным суперпереxодом (SJ), в которыx используется теxнология балансировки заряда, обеспечивающая выдающееся низкое сопротивление на вxоде и более низкую производительность заряда затвора.
Технические параметры
| Series | NTMT110N |
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PQFN4 8x8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 240Вт |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.11 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 0.098Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 30 A |
| Линейка Продукции | SUPERFET III FRFET |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 30А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PQFN |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 30 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.098 Ом |