NTMS4920NR2G, Trans MOSFET N-CH 30V 14.1A 8-Pin SOIC N T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001166715
- Артикул
- NTMS4920NR2G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- No
- Mounting
- Surface Mount
- Packaging
- Tape and Reel
- Pin Count
- 8
Цена по запросу
(от 115 ₽)
Минимальный заказ: 656 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 30V 14.1A с 8-контактным разъемом SOIC N T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Obsolete |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Package Width | 4(Max)mm |
| Package Length | 5(Max)mm |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SOIC N |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | SO |
| Typical Fall Time (ns) | 42.2 |
| Typical Rise Time (ns) | 4.7 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2120 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 58.9 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 58.9@10V|26.3@4.5V |
| Maximum Gate-Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 15.3 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V) | 30 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 68.6 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 14.1 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 4068@25V |
| Maximum Drain-Source Resistance (mOhm) | 4.3@10V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 14.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |