NTMS4916NR2G, Trans MOSFET N-CH 30V 9.4A 8-Pin SOIC N T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001096656
- Артикул
- NTMS4916NR2G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- HTS
- 8541.29.00.95
- EU RoHS
- Compliant
- Military
- No
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 240 ₽)
Минимальный заказ: 130 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| EU RoHS | Compliant |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Package Width | 4(Max) |
| Package Height | 1.5(Max) |
| Package Length | 5(Max) |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SOIC N |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | SOP |
| Typical Fall Time (ns) | 15.6 |
| Typical Rise Time (ns) | 7.4 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1980 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 28 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 15@4.5V|28@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 9.4 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 32 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 11.6 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1376@25V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 9@10V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.98 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |