NTMS4177PR2G, 30V 6.6A 12mOhm@10V,11.4A 840mW 2.5V@250uA P Channel SOIC-8 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017596241
- Артикул
- NTMS4177PR2G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 4mm
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.21
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 40,32 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Width | 4mm |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.21 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOIC |
| Корпус | SOIC-8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | P-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 29 nC @ 4.5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 19 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 11.4 A |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6.6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.84 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 12мОм |