NTMS10P02R2G-VB, 20V 13A 15m-@4.5V,5.6A 19W 1.2V@250uA P Channel 20nC@4.5V -55-~+150-@(Tj) SO-8 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015867657
- Артикул
- NTMS10P02R2G-VB
- Бренд
- Vbsemi Electronics Co., Ltd.
- Type
- P Channel
- Вес, г
- 0.14
- Корпус
- SO-8
- Структура
- P-Channel
Цена по запросу
(от 31,97 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
20 В 13 А 15mOhm@4.5V,5,6А 19 Вт 1.2V@250uA P-канальные МОП-транзисторы SO-8 ROHS
Технические параметры
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.14 |
| Корпус | SO-8 |
| Структура | P-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 19W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 20nC@4.5V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
| Continuous Drain Current (Id) | 13A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.2V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 13 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 19 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 15mΩ@4.5V, 5.6A |