NTMS10P02R2G, Power MOSFET, P Channel, 20 V, 8.8 A, 0.012 ohm, SOIC, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8232872887
- Артикул
- NTMS10P02R2G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- MSL
- MSL 1-Unlimited
- Вес, г
- 0.32
- No. of Pins
- 8Pins
- Channel Type
- P Channel
Цена по запросу
(от 275 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| MSL | MSL 1-Unlimited |
| Вес, г | 0.32 |
| No. of Pins | 8Pins |
| Channel Type | P Channel |
| Power Dissipation | 1.6W |
| Структура | P-Channel |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Rds(on) Test Voltage | 4.5V |
| Transistor Case Style | SOIC |
| Особенности | - |
| Drain Source Voltage Vds | 20V |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Continuous Drain Current Id | 8.8A |
| Drain Source On State Resistance | 0.012ohm |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 880mV |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.2V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 15mΩ@4.5V, 5.6A |