NTMJST2D6N08HTXG, MOSFETs TRENCH 8 80V LFPAK 5X7
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038777915
- Артикул
- NTMJST2D6N08HTXG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 332,33 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 80 В 28 А (Ta), 131,5 А (Tc), 5,3 Вт (Ta), 116 Вт (Tc) для поверxностного монтажа 10-TCPAK
Технические параметры
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 10-PowerLSOP(0.209", 5.30mm Width) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8mOhm @ 50A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 5.3W(Ta), 116W(Tc) |
| Supplier Device Package | 10-TCPAK |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4405 pF @ 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28A(Ta), 131.5A(Tc) |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.49 mOhms |