Моя заявка (0)

onsemi NTM Silicon N-Channel MOSFET, 198 A, 60 V, 10-Pin TCPAK57 NTMJST1D4N06CLTXG

onsemi NTM Silicon N-Channel MOSFET, 198 A, 60 V, 10-Pin TCPAK57 NTMJST1D4N06CLTXG

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8066377127
Артикул
NTMJST1D4N06CLTXG
Бренд
ON Semiconductor***
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 220 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 60 В, 42 А (Ta), 198 А (Tc), 5,3 Вт (Ta), 116 Вт (Tc) для поверxностного монтажа 10-TCPAK

Технические параметры

FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case10-PowerLSOP(0.209", 5.30mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Operating Temperature-55°C ~ 175°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max)5.3W(Ta), 116W(Tc)
Supplier Device Package10-TCPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs92.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6555 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C42A(Ta), 198A(Tc)

Техническая документация