NTMJS1D4N06CLTWG, Power MOSFET, N Channel, 60 V, 262 A, 0.00107 ohm, LFPAK, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8009268352
- Артикул
- NTMJS1D4N06CLTWG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 19 ns
- Rise Time:
- 21 ns
- Вес, г
- 0.4
Цена по запросу
(от 576 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Одноканальные силовые МОП-транзисторы onsemi Одноканальные силовые МОП-транзисторы onsemi - это малогабаритные и компактные МОП-транзисторы с низким RDS (on) и низкой емкостью. Низкое значение RDS(on) помогает свести к минимуму потери проводимости, а низкая емкость минимизирует потери в драйвере. Эти одноканальные МОП-транзисторы питания не содержат Pb и соответствуют требованиям RoHS, а диапазон рабочиx температур составляет от -55°C до +175°C.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 19 ns |
| Rise Time: | 21 ns |
| Вес, г | 0.4 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | LFPAK-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 103 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 180 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 29 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 52 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 262 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 244 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.3 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 262 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.00107 Ом |