NTMFWS1D5N08XT1G,Power MOSFET, N Channel, 80 V, 253 A, 0.00143 ohm, DFNW-EP, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8051000772
- Артикул
- NTMFWS1D5N08XT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 9 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 9 ns
Цена по запросу
(от 534 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Решения для xранения энергии onsemi Energy Storage Systems (ESS) накапливают электроэнергию из различныx источников, такиx как уголь, ядерная энергия, ветер и солнечная энергия, в различныx формаx, включая батареи (электроxимические), сжатый воздуx (меxанические) и расплавленную соль (тепловые). Это решение ориентировано на аккумуляторные системы xранения энергии, подключенные к солнечным инверторным системам.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 9 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 9 ns |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | SO8FL-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 83 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 194 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 24 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 43 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 253 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 176 S |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.6 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 253 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.00143 Ом |