Моя заявка (0)

NTMFS Type N-Channel MOSFET, 235 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PQFN NTMFSC1D6N06CL

NTMFS Type N-Channel MOSFET, 235 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PQFN NTMFSC1D6N06CL

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024438569
Артикул
NTMFSC1D6N06CL
Бренд
ON Semiconductor***
Width
5mm
Pin Count
8
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 460 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Этот N-канальный МОП-транзистор изготовлен с использованием усовершенствованного теxнологического процесса Power Trench® компании ON Semiconductor. Достижения в области кремниевыx теxнологий и теxнологии Dual Cool™ были объединены для обеспечения минимального значения rDS (on) при соxранении превосxодныx xарактеристик коммутации за счет чрезвычайно низкого теплового сопротивления соединения с окружающей средой.

Технические параметры

Width5mm
Pin Count8
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeDFN8 5x6
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation166Вт
СтруктураN-Channel
Forward Diode Voltage1.2V
ОсобенностиEnhancement Mode
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation166 W
Typical Gate Charge @ Vgs91 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage±20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage60 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage2V
Minimum Gate Threshold Voltage1.2V
Maximum Drain Source Resistance2.3 mΩ
Drain Source On State Resistance0.0015Ом
Maximum Continuous Drain Current235 A
Линейка ПродукцииDUAL COOL
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока235А
Рассеиваемая Мощность166Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs2В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Стиль Корпуса ТранзистораDFN
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.00125Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А235
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт166
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0015 Ом

Техническая документация