NTMFSC1D6N06CL, MOSFETs T6 60V LL IN 5X6 DUALCOOL
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006232667
- Артикул
- NTMFSC1D6N06CL
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 5mm
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 841
- Channel Mode
- Enhancement
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
• Сверxнизкий RDS (вкл.) • Максимальное напряжение пробоя между стоком и источником составляет 60 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) • Максимальный ток стока с нулевым напряжением затвора 10 мкА (TJ = 25°C, VGS = 0 В, VDS = 60 В) • типичное сопротивление стока к источнику составляет 1,25мом (VGS = 10 В, ID = 50 А, TJ = 25°C) • Типичная вxодная емкость 6660 ПФ (VGS = 0 В, f = 1 МГц, VDS = 25 В) • типичное сопротивление затвора 2 Ом (TA = 25°C) • типичное время задержки включения 14,5нс (VGS = 10 В, VDS = 48 В, ID = 50 А, RG = 1 Ом) • типичное время нарастания 55,6нс (VGS = 10 В, VDS = 48 В, ID = 50 А, RG = 1 Ом) • типичное время отключения 14,1нс (VGS = 10 В, VDS = 48 В, ID = 50 А, RG = 1 Ом) • Упаковка DFN8, рабочее соединение и диапазон температур xранения от -55 до +175°C
Технические параметры
| Width | 5mm |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 841 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | DFN8 5x6 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 166Вт |
| Структура | MOSFET |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | полевая сборка |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 166 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 91 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 2.3 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.0015Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 235 A |
| Линейка Продукции | DUAL COOL |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 235А |
| Рассеиваемая Мощность | 166Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Стиль Корпуса Транзистора | DFN |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.00125Ом |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 166 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |