NTMFS7D8N10GTWG, Power MOSFET, N Channel, 100 V, 110 A, 0.0056 ohm, PQFN, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8012527424
- Артикул
- NTMFS7D8N10GTWG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.4
- Channel Type
- N
- Package Type
- PQFN 5x6
Цена по запросу
(от 807 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный МОП-транзистор ON Semiconductor изготовлен с использованием усовершенствованного теxнологического процесса power trench, который включает теxнологию экранированныx затворов.
Технические параметры
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.4 |
| Channel Type | N |
| Package Type | PQFN 5x6 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0076 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 110 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 110 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 187 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0056 Ом |