Моя заявка (0)

NTMFS6H836NLT1G, 80V 77A 5.1m @10V,15A 89W 2V 1 N-Channel DFN-5(5.9x4.9) MOSFETs ROHS

NTMFS6H836NLT1G, 80V 77A 5.1m @10V,15A 89W 2V 1 N-Channel DFN-5(5.9x4.9) MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8048309463
Артикул
NTMFS6H836NLT1G
Бренд
ON Semiconductor***
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 446 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 80 В, 16 А (Ta), 77 А (Tc), 3,7 Вт (Ta), 89 Вт (Tc) Для поверxностного монтажа 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Технические параметры

FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case8-PowerTDFN, 5 Leads
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 95µA
Operating Temperature-55°C ~ 175°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max)3.7W(Ta), 89W(Tc)
Supplier Device Package5-DFN(5x6)(8-SOFL)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1950 pF @ 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A(Ta), 77A(Tc)

Техническая документация