N-Channel MOSFET, 157 A, 80 V, 5-Pin DFN NTMFS6H801NT1G
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8016818247
- Артикул
- NTMFS6H801NT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 5.1mm
- Pin Count
- 5
- Вес, г
- 0.02
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 290 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Промышленный силовой МОП-транзистор в корпусе с плоским выводом размером 5x6 мм, разработанный для компактной и эффективной конструкции и обладающий высокими тепловыми xарактеристиками.
Технические параметры
| Width | 5.1mm |
| Pin Count | 5 |
| Вес, г | 0.02 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DFN |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 166Вт |
| Структура | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Квалификация | - |
| Maximum Power Dissipation | 166 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 4.4 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.0023Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 157 A |
| Линейка Продукции | - |
| Количество Выводов | 5вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 157А |
| Рассеиваемая Мощность | 166Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 80В |
| Стиль Корпуса Транзистора | DFN |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0023Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 157 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 166 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0023 Ом |