NTMFS6D1N08HT1G, MOSFETs T8 80V 1 PART PROLI FERATI
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006205812
- Артикул
- NTMFS6D1N08HT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- Power MOSFET
- Mounting
- Surface Mount
- Polarity
- N
- Packaging
- Tape and Reel
Цена по запросу
(от 191,35 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 80V 89A с 5-контактным разъемом DFN на магнитной ленте и катушке (код: NTMFS6D1N08HT1G)
Технические параметры
| Type | Power MOSFET |
| Mounting | Surface Mount |
| Polarity | N |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 4+Tab |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | SO-FL |
| Rad Hardened | No |
| Вес, кг | 3.51 |
| Power Dissipation | 3.8(W) |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | MOSFET |
| Drain-Source On-Volt | 80(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 175C |
| Особенности | - |
| Continuous Drain Current | 17(A) |
| Gate-Source Voltage (Max) | '±20(V) |
| Drain Source On State Resistance | 0.0045Ом |
| Количество Выводов | 5вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Непрерывный Ток Стока | 89А |
| Рассеиваемая Мощность | 104Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 80В |
| Стиль Корпуса Транзистора | DFN |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0045Ом |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 104 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |