NTMFS5H414NLT1G, NTMFS5H414NLT1G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 40V 35A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002313187
- Артикул
- NTMFS5H414NLT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 1
- Структура
- N-Channel
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 270 ₽)
Минимальный заказ: 120 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор T8 40V LOW COSS POWER МОП-транзистор
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 11.6 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SO-8FL |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 75 nC |
| Время нарастания | 52.3 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 110 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 210 A |
| Размер фабричной упаковки | 1500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.1 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 38.8 ns |
| Типичное время задержки при включении | 15.2 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 35 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |