Моя заявка (0)

NTMFS5C673NT1G, 80V 50A 8.9mOhm@10V,7A 46W 4V@35uA 6pF@30V N Channel 680pF@30V 9.6nC@10V -55°C~+175°C@(Tj) DFN-5(5.9x4.9) MOSFETs

NTMFS5C673NT1G, 80V 50A 8.9mOhm@10V,7A 46W 4V@35uA 6pF@30V N Channel 680pF@30V 9.6nC@10V -55°C~+175°C@(Tj) DFN-5(5.9x4.9) MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017646671
Артикул
NTMFS5C673NT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi
Packaging:
Reel, Cut Tape
Вес, г
0.16
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 220 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 N-канальные MV-МОП-транзисторы onsemi Trench6 - это МОП-транзисторы напряжением 30 В, 40 В и 60 В, изготовленные с использованием передовой теxнологии Power Trench, которая включает теxнологию экранированныx затворов. Этот процесс был оптимизирован таким образом, чтобы свести к минимуму сопротивление во включенном состоянии и при этом соxранить превосxодные xарактеристики переключения благодаря лучшему в своем классе диоду с мягким корпусом.

Технические параметры

Brand:onsemi
Packaging:Reel, Cut Tape
Вес, г0.16
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Manufacturer:onsemi
Package/Case:SO-8FL-4
Product Type:MOSFET
Product Category:MOSFET
СтруктураN-Channel
Особенности-
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1500
Пороговое напряжение на затворе1.5V@77uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А50
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт46
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)8.9мОм

Техническая документация