NTMFS5C670NLT1G, Транзистор, N-MOSFET, 60В, 71А, 61Вт, 0.0051Ом [SO-8FL.]
![NTMFS5C670NLT1G, Транзистор, N-MOSFET, 60В, 71А, 61Вт, 0.0051Ом [SO-8FL.]](https://static.epl-electro.ru/lib/516/DOC016516640.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000566635
- Артикул
- NTMFS5C670NLT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.2
- Корпус
- SO-8
- Структура
- MOSFET
- Пороговое напряжение на затворе
- 2.5V@250uA
Цена по запросу
(от 44,90 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, N-канальный, 60 В, 71 А, DFN-5; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id: 71 А; Напряжение источника стока Vds: 60 В; Сопротивление включения Rds(on): 0,0051 Ом; Тестовое напряжение Rds(on) Vgs:10 В; Пороговое напряжение Vgs:2 В; Сила
Технические параметры
| Вес, г | 0.2 |
| Корпус | SO-8 |
| Структура | MOSFET |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 71 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 61 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0061Ом |