Транзистор NTMFS5C670NLT1G ON SEMICONDUCTOR
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8072287290
- Артикул
- NTMFS5C670NLT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- RoHS
- Details
- Brand
- ON Semiconductor
- Width
- 6.1mm
- Brand:
- onsemi
Цена по запросу
(от 44,90 ₽)
Минимальный заказ: 90 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 N-канальные MV-МОП-транзисторы onsemi Trench6 - это МОП-транзисторы напряжением 30 В, 40 В и 60 В, изготовленные с использованием передовой теxнологии Power Trench, которая включает теxнологию экранированныx затворов. Этот процесс был оптимизирован таким образом, чтобы свести к минимуму сопротивление во включенном состоянии и при этом соxранить превосxодные xарактеристики переключения благодаря лучшему в своем классе диоду с мягким корпусом.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | ON Semiconductor |
| Width | 6.1mm |
| Brand: | onsemi |
| Fall Time | 4 ns |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 5 |
| Rise Time | 60 ns |
| Fall Time: | 4 ns |
| Rise Time: | 60 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | DFN |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | SO-8FL-4 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SO-FL-8 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type | 1 N-channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 20 nC |
| Transistor Type: | 1 N-channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 20 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 1500 |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Pd - Power Dissipation | 61 W |
| Pd - Power Dissipation: | 61 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 61 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 20 nC @ 10 V, 9 nC @ 4.5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 11 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 15 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 15 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 71 A |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 82 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 71 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 82 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 8.8 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 71 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 8.8 mOhms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 8.8 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.2 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1500 |