NTMFS5C646NLT1G, MOSFETs NFET SO8FL 60V 92A 4.5MOH
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004739229
- Артикул
- NTMFS5C646NLT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Series
- -
- FET Type
- N-Channel
- Packaging
- Cut Tape(CT)
- Vgs (Max)
- В±20V
Цена по запросу
(от 280,08 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор NFET SO8FL 60V 92A 4.5MOH
Технические параметры
| Series | - |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.7 |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250ВµA |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 5.1 ns |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7mOhm @ 50A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 3.7W(Ta), 79W(Tc) |
| Supplier Device Package | 5-DFN(5x6)(8-SOFL) |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SO-FL-8 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33.7nC @ 10V |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Qg - заряд затвора | 15.7 nC |
| Время нарастания | 14.9 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2164pF @ 25V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 19A(Ta) |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 66 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 89 A |
| Размер фабричной упаковки | 1500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.7 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 23.6 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10.4 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 92 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 79 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |