NTMFS5C628NLT1G, МОП-Транзистор 60 В 3,7 Вт 2,4 мОм при 10 В, 50 А 2 В при 135мкА N-канальные МОП-Транзистор DFN-5(5,9x4,9)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017601574
- Артикул
- NTMFS5C628NLT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 6.1mm
- Pin Count
- 5
- Вес, г
- 0.15
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 96,31 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Width | 6.1mm |
| Pin Count | 5 |
| Вес, г | 0.15 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DFN |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 110 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 3.3 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 150 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.4 мОм |