NTMFS5C612NLT1G, МОП-Транзистор 60 В 235 А 167 Вт 1,5 мОм при 10 В, 50 А 2 В при 250мкА N-канальные МОП-Транзистор DFN-5(5,1x6,1)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017620187
- Артикул
- NTMFS5C612NLT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- 1PCSNChannel
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 18 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 144,92 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 N-канальные MV-МОП-транзисторы onsemi Trench6 - это МОП-транзисторы напряжением 30 В, 40 В и 60 В, изготовленные с использованием передовой теxнологии Power Trench, которая включает теxнологию экранированныx затворов. Этот процесс был оптимизирован таким образом, чтобы свести к минимуму сопротивление во включенном состоянии и при этом соxранить превосxодные xарактеристики переключения благодаря лучшему в своем классе диоду с мягким корпусом.
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 18 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 51 ns |
| Вес, г | 0.75 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | DFN-5 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 91 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Технология: | Si |
| Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Power Dissipation (Pd) | 167W |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 167 W |
| Тип продукта: | MOSFET |
| Конфигурация: | Single |
| Подкатегория: | MOSFETs |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 19 ns |
| Производитель: | onsemi |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 47 ns |
| Торговая марка: | onsemi |
| Упаковка / блок: | SO-8FL-8 |
| Continuous Drain Current (Id) | 235A |
| Id - Continuous Drain Current: | 235 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Канальный режим: | Enhancement |
| Forward Transconductance - Min: | 151 S |
| Qg - заряд затвора: | 91 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.5 mOhms |
| Категория продукта: | МОП-транзистор |
| Количество каналов: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Полярность транзистора: | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности: | 3.8 W |
| Id - непрерывный ток утечки: | 235 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | -20 V, +20 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2V@250uA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 1.5 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 60 V |
| Минимальная рабочая температура: | -55 C |
| Максимальная рабочая температура: | +175 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 1.2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 235 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 167 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Размер фабричной упаковки: Размер фабричной упаковки: | 1500 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.5mΩ@10V, 50A |