NTMFS5C456NLT1G, MOSFETs T6 40V NCH LL IN SO8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8032050380
- Артикул
- NTMFS5C456NLT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Mounting
- Surface Mount
- Packaging
- Tape and Reel
Цена по запросу
(от 80,24 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 40V 22A с 5-контактным разъемом SO-FL EP T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 5 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Flat |
| Вес, г | 0.01 |
| PCB changed | 5 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Package Width | 5.9 |
| Package Length | 4.9 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SO-FL EP |
| Maximum IDSS (uA) | 10 |
| Структура | N-Channel |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 4 |
| Typical Rise Time (ns) | 100 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3600 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 28.8 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 13.5@4.5V|28.8@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 9.3 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 40 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 17 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 22 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1600@25V |
| Maximum Drain Source Resistance (MOhm) | 3.7@10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 55 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3.7mΩ@20A, 10V |