NTMFS5C430NT1G, SO-8FL MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017637417
- Артикул
- NTMFS5C430NT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- RoHS
- Details
- Brand
- ON Semiconductor
- Width
- 5.1mm
- Series
- NTMFS5C430N
Цена по запросу
(от 65,24 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, N-CH, 40 В, 185 А, DFN; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id: 185 А; Напряжение источника стока Vds: 40 В; Сопротивление включения Rds(on): 0,0014 Ом; Тестовое напряжение Rds(on) Vgs: 10 В; Пороговое напряжение Vgs:3,5 В; Мощность Мощность рассеивания: 106 Вт; Тип корпуса транзистора: DFN; Количество контактов: 5; Максимальная рабочая температура: 175°C; Ассортимент продукции: -; Автомобильный квалификационный стандарт:-; MSL: MSL 1 - неограниченный; SVHC:Ведущий (27 июня 2018 г.)
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | ON Semiconductor |
| Width | 5.1mm |
| Series | NTMFS5C430N |
| Fall Time | 8 ns |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 8 |
| Rise Time | 48 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 8 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | DFN |
| Корпус | SO-8 |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SO-FL-8 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 47 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 1500 |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Pd - Power Dissipation | 106 W |
| Power Dissipation (Pd) | 3.8W;106W |
| Особенности | - |
| Maximum Power Dissipation | 106 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 47 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 47nC@10V |
| Typical Turn-On Delay Time | 13 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 29 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 3.3nF@25V |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 35A;185A |
| Id - Continuous Drain Current | 185 A |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 130 S |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.7 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 185 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.4 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 106 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.7mΩ@50A, 10V |