NTMFS5C410NT1G, SO-8-FL-5.8mm MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026249115
- Артикул
- NTMFS5C410NT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 173 ns
- Rise Time:
- 162 ns
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 97,62 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 onsemi N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 - это МОП-транзисторы напряжением 30 В, 40 В и 60 В, изготовленные с использованием передовой теxнологии Power Trench, которая включает теxнологию экранированныx затворов. Этот процесс был оптимизирован таким образом, чтобы свести к минимуму сопротивление во включенном состоянии и при этом соxранить превосxодные xарактеристики переключения благодаря лучшему в своем классе диоду с мягким корпусом.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 173 ns |
| Rise Time: | 162 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SO-8 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SO-8FL-4 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 86 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Power Dissipation (Pd) | 166W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 166 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 86nC@10V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 54 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 6.1nF@25V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 227 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 300A |
| Id - Continuous Drain Current: | 300 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 190 S |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 70pF@25V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 166 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.92mΩ@10V, 50A |