Моя заявка (0)

NTMFS5C404N Type N-Channel MOSFET, 378 A, 40 V Enhancement, 5-Pin DFN NTMFS5C404NT1G

NTMFS5C404N Type N-Channel MOSFET, 378 A, 40 V Enhancement, 5-Pin DFN NTMFS5C404NT1G

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8009709350
Артикул
NTMFS5C404NT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Width
5.1mm
Series
NTMFS5C404N
Pin Count
8
Вес, г
5
Цена по запросу
(от 1 510 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор NFET SO8FL 40V 345A 8MOHM

Технические параметры

Width5.1mm
SeriesNTMFS5C404N
Pin Count8
Вес, г5
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeDFN
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Forward Diode Voltage1.2V
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада109 ns
ОсобенностиEnhancement Mode
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation200 W
Typical Gate Charge @ Vgs128 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокSO-FL-8
Maximum Drain Source Voltage40 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Qg - заряд затвора128 nC
Maximum Drain Source Resistance700 μΩ
Время нарастания113 ns
Maximum Continuous Drain Current378 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности200 W
Id - непрерывный ток утечки378 A
Размер фабричной упаковки1500
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток570 uOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток40 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Типичное время задержки выключения77 ns
Типичное время задержки при включении16 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А378
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.210 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт200
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация