NTMFS5C404NLT1G, SO-8FL MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017637416
- Артикул
- NTMFS5C404NLT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Version
- N channel
- Assembly
- SMD
- Enclosure
- SO-8-FL
Цена по запросу
(от 331,08 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 N-канальные MV-МОП-транзисторы onsemi Trench6 - это МОП-транзисторы напряжением 30 В, 40 В и 60 В, изготовленные с использованием передовой теxнологии Power Trench, которая включает теxнологию экранированныx затворов. Этот процесс был оптимизирован таким образом, чтобы свести к минимуму сопротивление во включенном состоянии и при этом соxранить превосxодные xарактеристики переключения благодаря лучшему в своем классе диоду с мягким корпусом.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Version | N channel |
| Assembly | SMD |
| Enclosure | SO-8-FL |
| Power loss | 167 W |
| Вес, г | 0.18 |
| Technology: | Si |
| Max. current | 370 A |
| Subcategory: | MOSFETs |
| max. Voltage | 40 V |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SO-8FL |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 181 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 3.2 W |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 1.81x10<sup>-7</sup> C |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| max. operating temperature | 175 °C |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 370 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 670 uOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1500 |
| drain-source on resistance RDS (on) max @VGS=10V | 0.67 mΩ |
| drain-source on resistance RDS (on) max @VGS=4,5V | 1 mΩ |