NTMFS4C324NT1G, SO-8 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017682835
- Артикул
- NTMFS4C324NT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 17 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 32 ns
Цена по запросу
(от 63,12 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 17 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 32 ns |
| Вес, г | 0.16 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SO-8 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | SO-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | SIngle |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 20.8 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 64 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 27 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 136 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 136 S |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 33 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.7 mOhms |