Моя заявка (0)
NTMFS4C302NT1G, Trans MOSFET N-CH 30V 41A 5-Pin SO-FL EP T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002327258
Артикул
NTMFS4C302NT1G
Бренд
ON Semiconductor***
PPAP
No
SVHC
Yes
EU RoHS
Compliant with Exemption
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 260 ₽)
Минимальный заказ: 120 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

PPAPNo
SVHCYes
EU RoHSCompliant with Exemption
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count5
AutomotiveNo
Lead ShapeFlat
Вес, г0.15
PCB changed5
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle Quad Drain Triple Source
Package Width5.9
Package Length4.9
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageSO-FL EP
СтруктураN-Channel
Standard Package NameDFN
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)11
Typical Rise Time (ns)19
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)3130
Typical Gate Charge @ 10V (nC)82
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)82@10V|37@4.5V
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)20
Maximum Drain Source Voltage (V)30
Typical Turn-Off Delay Time (ns)42
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)41
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)5780@15V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)1.15@10V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А41
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт96
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация