NTMFS4C10NT1G, Транзистор, N-MOSFET, 30В, 46А, 23.6Вт, 0.0058Ом [SO-8FL.]
![NTMFS4C10NT1G, Транзистор, N-MOSFET, 30В, 46А, 23.6Вт, 0.0058Ом [SO-8FL.]](https://static.epl-electro.ru/lib/619/DOC010619153.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000385392
- Артикул
- NTMFS4C10NT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.2
- Корпус
- SO-8
- Структура
- МОП-транзистор
- Количество Выводов
- 5вывод(-ов)
Цена по запросу
(от 34,30 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.2 |
| Корпус | SO-8 |
| Структура | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 5вывод(-ов) |
| Непрерывный Ток Стока | 46А |
| Рассеиваемая Мощность | 23.6Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.2В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | DFN |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 c |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0058Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 46 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 23.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0058 Ом |