Моя заявка (0)

NTMFS4C06NT1G, Транзистор N-MOSFET 30В 11A/69A [DFN-5(5x6)/SO-8FL]

NTMFS4C06NT1G, Транзистор N-MOSFET 30В 11A/69A [DFN-5(5x6)/SO-8FL]

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
9000425920
Артикул
NTMFS4C06NT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
0.7
Корпус
SO-8FL
Структура
N-Channel
Количество Выводов
5вывод(-ов)
Цена по запросу
(от 161 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 onsemi N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 - это МОП-транзисторы напряжением 30 В, 40 В и 60 В, изготовленные с использованием передовой теxнологии Power Trench, которая включает теxнологию экранированныx затворов. Этот процесс был оптимизирован таким образом, чтобы свести к минимуму сопротивление во включенном состоянии и при этом соxранить превосxодные xарактеристики переключения благодаря лучшему в своем классе диоду с мягким корпусом.

Технические параметры

Вес, г0.7
КорпусSO-8FL
СтруктураN-Channel
Количество Выводов5вывод(-ов)
Непрерывный Ток Стока69А
Рассеиваемая Мощность30.5Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs2.1В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds30В
Стиль Корпуса ТранзистораDFN
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальная Рабочая Температура150 c
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1 - Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0032Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А69
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт30.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.004 Ом/30А, 10В

Техническая документация