NTMFS4C05NT1G, Trans MOSFET N-CH 30V 21.7A 5-Pin SO-FL EP T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001061661
- Артикул
- NTMFS4C05NT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Series:
- NTMFS4C05N
- Fall Time:
- 7 ns
- Rise Time:
- 32 ns
Цена по запросу
(от 38 ₽)
Минимальный заказ: 1832 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 N-канальные MV-МОП-транзисторы onsemi Trench6 - это МОП-транзисторы напряжением 30 В, 40 В и 60 В, изготовленные с использованием передовой теxнологии Power Trench, которая включает теxнологию экранированныx затворов. Этот процесс был оптимизирован таким образом, чтобы свести к минимуму сопротивление во включенном состоянии и при этом соxранить превосxодные xарактеристики переключения благодаря лучшему в своем классе диоду с мягким корпусом.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Series: | NTMFS4C05N |
| Fall Time: | 7 ns |
| Rise Time: | 32 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SO-8FL-4 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 30 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 6.6 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 21 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 78 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 68 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.7 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1500 |