NTMFS4C032NT1G, Trans MOSFET N-CH 30V 13A 5-Pin SO-FL EP T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002253863
- Артикул
- NTMFS4C032NT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Mounting
- Surface Mount
- Packaging
- Tape and Reel
Цена по запросу
(от 59 ₽)
Минимальный заказ: 1383 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 30V 13A с 5-контактным разъемом SO-FL EP T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 5 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | No Lead |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 5 |
| Part Status | Obsolete |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Package Width | 5.9 mm |
| Package Length | 4.9 mm |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SO-FL EP |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | DFN |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 5 |
| Typical Rise Time (ns) | 35 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 5320 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 18.2 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 18.2@10V|8.4@4.5V |
| Maximum Gate-Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 9 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V) | 30 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 13 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2.1 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 13 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 770@15V |
| Maximum Drain-Source Resistance (mOhm) | 7.35@10V |
| Maximum Gate-Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 13 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |